C10100 rame per basi dei componenti transistor
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C10100 rame per basi dei componenti transistor

C10100 Copper svolge un ruolo insostituibile nei prodotti elettronici di fascia alta grazie alle sue eccellenti prestazioni portate dalla sua elevata purezza.
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introduzione al prodotto

C10100 Copper, come leader della serie in lega di rame, è unico nel campo della scienza dei materiali con le sue caratteristiche ad alta purezza fino al 99,99% o più. Questa lega non solo eredita molte delle eccellenti proprietà del rame puro, ma migliora ulteriormente le sue proprietà fisiche e la conducibilità elettrica attraverso trattamenti di lega specifici, rendendola sempre più ampiamente utilizzata in prodotti elettronici di fascia alta e diventando uno dei materiali preferiti per le cavi di circuito, le bobine e le parti di collegamento.

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Specifiche Girare Spessore della parete: 0,2 mm ~ 120 mm
Diametro esterno: 2 mm ~ 910 mm
Piazza Spessore della parete: 0,2 mm ~ 120 mm
Dimensione: 2 mm*2 mm ~ 1016 mm*1016 mm
Rettangolare Spessore della parete: 0,2 mm ~ 910 mm
Dimensione: 2mm*4mm ~ 1016mm*1219mm
Lunghezza 3m, 5,8 m, 6m, 11,8 m, 12m o come richiesto.
Durezza 1/16 duro, 1/8 duro, 3/8 duro, 1/4 duro, 1/2Hard, pieno, morbido, morbido, ecc.
Superficie Mill, lucido, luminoso, oliato, linea di capelli, pennello, specchio, esplosione di sabbia o come richiesto.
Termine di prezzo Ex lavoro, FOB, CFR, CIF, ecc.

Le prestazioni specifiche del tubo di rame C10100:

1. Efficiente dissipazione del calore: i transistor genereranno calore quando lavorano, se non può essere dissipato in modo tempestivo, influenzerà le sue prestazioni e l'aspettativa di vita. Il rame C10100 viene utilizzato come materiale di base dei transistor grazie alla sua eccellente conducibilità termica, che può condurre rapidamente il calore per garantire che i transistor funzionino stabilmente alla temperatura appropriata.
2. Assicurarsi la qualità della connessione elettrica: come materiale di base, il rame C10100 è anche responsabile della fornitura di una buona connessione elettrica. La sua elevata conducibilità può ridurre la perdita durante la trasmissione del segnale e migliorare l'efficienza complessiva e la stabilità del circuito, che è particolarmente importante per i transistor ad alta frequenza e ad alta velocità.

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GNEE prende l'innovazione tecnologica come competitività principale, con un centro di ricerca e sviluppo tecnologici a livello provinciale e più di 30 tecnologie brevettate. Continuiamo a ottimizzare il processo di elaborazione del rame e sviluppare materiali speciali in lega di rame con alta conducibilità e elevata resistenza per soddisfare le esigenze di nuove energia, comunicazione 5G e altre industrie emergenti e per promuovere l'industria dell'elaborazione del rame allo sviluppo di fascia alta e raffinata.
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